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            型号:OTF-1200X-III-HPCVD-SE
产品概述:OTF-1200X-III-HPCVD-SE是一款HPCVD(物理/化学混合气相沉积)系统,带有独特的原料推进系统和1350℃原位蒸发枪。原料推进系统和同时/依次将3种反应原料推入到炉管中(可设定推入位置和推进速度),以达到适合的蒸发温度。温度可控型原位蒸发枪,最高温度可达1350℃,也可多固体原料原位蒸发。所以此系统可对4种固体或液体源供蒸发。此设备适合各种HPCVD实验,特别适用于制备多层二维晶体材料。操作面板为PLC触摸屏,用户可设置进料速度,进料位置及实时监测蒸发原料的温度。
	
| 炉体结构 | 
					 独特的原料推进系统可在真空或气氛保护环境下同时/依次推进3种原料进入到管式炉中(并可实时监测其温度),温度可控型原位蒸发枪,最高温度可达1350℃,适合用HPCVD法生长多层膜 
 ·炉体为三温区开启式管式炉,由三个独立的温控系统控制每个温区,其控温精度可达±0.1℃ 
 ·双层壳体结构,并带有风冷系统 
 ·采用氧化铝纤维作为炉膛材料,表面涂有高温氧化铝涂层,可提高加热效率,和延长使用寿命 
 ·炉体开启式设计,便于跟换炉管,并且带有开启断电功能,保证操作安全 
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| 电源要求 | 
					 ·单相208~240VAC 
 ·最大功率9KW(需60A的空气开关) 
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| 加热区 | 
					 ·三个加热区,每个加热区长度:300mm 
 ·总加热区长度:900mm 
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| 恒温区 | 
					 恒温区长度:625mm(±2℃) 
						 (三个温区设置同样的加热温度) 
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| 工作温度 | 
					 ·最高工作温度:1200℃(<1hr) 
 ·连续工作温度:100~1100℃ 
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| 升温速率 | 
					 ≤ 10°C /min 
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| 原料推进系统&蒸发枪 | 
					 独特的原料推进系统可在真空或气氛保护环境下同时/依次推进3种原料进入到管式炉中(并可实时监测其温度),利用推送系统可将3个不同蒸发源同时/依次送入3个独立的小石英管中,精确地找到所需温度,保证实验精确性和重复性 
 ·蒸发枪:采用钨线圈加热,氧化铝坩埚装料,其最高温度可达1350℃,控温精度±1℃ 
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| 坩埚移动控制 | 
					 ·坩埚的移动速度和移动距离通过步进电机驱动,可设定控制 
 ·最大移动距离: 530mm (精度1mm) 
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| 沉积样品台 | 
					 ·特殊设计样品台,带有手动遮挡板,放置原料交替试导致所制备样品污染 
 ·可手动调节样品台在炉管中的位置 
 ·可选择水平样品台,或倾斜式样品台 
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| 温度控制系统 | 
					 ·三个温区由三个独立的温控系统控制,采用PID方式调节温度,可设置30段升降温程序 
 ·欧陆仪表控制,控温精度可达±0.1℃ 
 ·带有超温和断偶报警 
 ·三个K型热偶(每个温区1个) 
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| 管式炉配置 | 
					 ·炉管,采用高纯石英管,尺寸为Φ130(外)mm×Φ122(内)mm×1200mm(长) 
 ·配有2个氧化铝管堵,防止热辐射(加热前管堵必须放入到炉管内) 
 ·可选购石英管堵,保证反应环境洁净 
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| 真空计 | 
					 ·防腐型复合真空计(皮拉尼和隔膜规) 
 ·测量范围:3.8E-5 ~ 1125 torr 
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| 真空泵&真空度 | 
					 ·真空度:10E-2 torr(采用机械泵),10-E5 torr(采用分子泵) 
						 可在本公司选用各种真空泵 
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| 气体流量控制系统 | 
					 配有4通道气体流量控制系统,采用触摸屏设定参数 
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| 循环水冷机 | 
					 设备采用水冷不锈钢密封法兰,所以配有循环水冷机 
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| 设备尺寸 | 
					 4000×600×1500m 
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| 质量认证 | 
					 ·CE认证 
 ·所有电器元件(≧24V)都通过了UL/MET/CSA认证 
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| 免责声明 | 
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